产品中心
  • SL-1700X-MGI-4是一款小型4通道管式炉,其炉管直径为Φ25mm,针对于高通量热处理实验。特别是对于合金和陶瓷热处理,其*高温度可以达到1700℃。对于在材料基因计划中探索材料相图是非常好的实验工具。
  • GSL-1700X-MGI-4是一款小型4通道管式炉,其炉管直径为Φ25mm,针对于高通量热处理实验。特别是对于合金和陶瓷热处理,其*高温度可以达到1700℃。对于在材料基因计划中探索材料相图是非常好的实验工具。
  • GSL-1500X是一款通过CE认证的小型高温管式炉,其炉管为直径2" 的刚玉管,加热元件为硅碳棒。仪器本身带有两个真密封法兰(法兰上已安装机械压力表和不锈钢截止阀)。控制系统采用高精度可控硅移相触发控制,其控温精度为+/-1°C,控温方式采用30段程序设置,*高温度可达到1500℃。
  • GSL-1600X是一款CE认证的高温管式炉,加热元件采用1700度的硅钼棒,此款设备被广泛的用于新材料样品的烧结或是退火(在真空或是惰性气体保护状态下),控温采用30段可编程智能温度调节仪,控温精度+/-1°C ,此款高温炉的*高温度1650度。
  • OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩埚可炉管内移动(靠步进电机控制)的小型开启式管式炉。炉管直径为50mm,设备*高工作温度为1200℃。
  • OTF-1200X-S2-50SL是一款小型的双炉体滑动管式炉,炉管为Φ50×1400mm的石英管,并配有不锈钢密封法兰,仪器*高温度可以达到1200℃。两个炉体可在滑轨上滑动,实现对原材料的蒸发/升华,及薄膜沉积。通过炉体的滑动可实现对样品快速加热,*大升温速率为100℃/min.同时可选择电动滑轨、质量流量计(MFC)控制的供气系统和等离子射频电源来搭建TCVD系统。
  • 应用范围:OTF-1200X-III-80SL是一款CE认证的三温区可滑动管式炉,配置dia80x94” 石英管和法兰,工作温度*高达1200°C。炉底安装一对滑轨,可用手动滑动。加热和冷却速率*大可达100°C/min。为取得*快加热,可以预先加热炉子到设定的温度,然后移动炉子到样品位置。为获得*快冷却,可在样品加热后移动炉子到另一端。加热和冷却速率在真空或者惰性气体环境下可以达到10°C/s,是低成本快速热处理的理想炉子 产品型号 :OTF-1200X-III-80SL 安装尺寸:2500mm L x 510mm W x 750mm 重量:250Kg
  • 应用范围:OTF-1200X-5-III-D4 是一款三温区的双管炉,其*高工作温度可以达到1200℃,专门针对于用CVD方法在金属箔上生长薄膜物质,如石墨烯、太阳能电池的电极材料和电池电极材料等。 产品型号:OTF-1200X-III-D5- 4 安装尺寸:1030 x 430 x 580 mm 重量:90 kg
  • 4英寸双温区回转CVD管式炉,安装有自动送料器和收料罐。自动可定份额地将粉料送入到炉管中,此过程可在气氛保护环境下进行,可实现用连续CVD方法对粉体材料进行包覆和修饰。收料罐可在气氛保护环境下对处理好的粉料进行收集。此款管式炉设计主要是在锂离子电池的阴极材料(如LiFePO3, LiMnNiO3)上包覆导电层,同时也可用CVD方式制备 Si/C 阳极材料。
  • 小型开启式立式炉 ,其炉管直径为25mm或50mm,适合于对样品在真空或气氛保护环境下吊烧和淬火。采用PID方式进行温度调节,可设置30段升降温程序,控温精度为+/- 1 ℃。
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